導電性高分子におけるバイポ-ラロン--密度行列繰り込み群による新しい理論
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21aHW-3 g因子制御された電界閉じ込め量子ドットにおける光応答特性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
25pPSB-2 量子状態転写デバイスにおける量子ドットの単一光子応答(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25pXG-4 g因子制御電界閉じ込め2重量子ドットにおける単一電子スピンコヒーレント制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
30pTX-14 g因子制御電界閉じ込め二重量子ドットにおける単一電子スピン共鳴とg因子検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aYN-14 ナノコンデンサー:カーボン(またはBN)ナノチューブとナノグラファイト系などにおける電気容量の計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
-
20aXF-9 メビウス形状パイ電子系リボンにおける新しい電子状態 : トポロジー効果と電荷スピン競合
-
24aXM-7 電子源ビーム用シミュレーションコードの開発(リニアコライダー・RFガン,新領域)
-
25aXM-3 NEA-GaAsフオトカソードを用いた低エミッタンス電子源開発の現状(新領域シンポジウム 主題 : 高輝度電子ビーム源,新領域)
-
27pZR-4 200keV偏極電子ビームのエミノタンス測定(粒子源)(新領域)
-
27pZR-2 スピン偏極電子源のフォトカソード長寿命化(粒子源)(新領域)
-
20aYK-11 g因子制御量子井戸構造における量子輸送の光応答特性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pWH-4 光子スピン量子メディア変換のための結合量子ドットスピン依存量子輸送特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22aPS-136 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子井戸構造における光応答特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22pTH-10 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における光応答特性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22pTH-11 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における量子輸送特性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22aTA-8 スピン密度汎関数法によるポリジアセチレンの電子状態 : ブタトリエン構造の不安定化
-
28aYG-6 ポリジアセチレンのポテンシャル面
-
23pM-6 ポリジアセチレンの構造双安定性に関する第一原理計算
-
31a-XA-13 電界発光性高分子PPVにおける電場変調スペクトル
-
20aPS-12 量子メディア変換構造における荷電励起子のゲート電界制御II(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
23pPSB-57 量子メディア変換構造における励起子吸収の光伝導特性(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
27pZR-3 電界放出機構による偏極電子ビーム生成(粒子源)(新領域)
-
19aWF-10 3倍周期電荷秩序を伴うモット転移近傍における非整合状態
-
19aRE-8 1次元拡張パイエルスハバードモデルの光励起後のドメインダイナミクス
-
30aPS-76 低次元強相関電子系の非線形光学応答II(領域5ポスターセッション)(領域5)
-
23aWB-6 低次元強相関電子系の非線形光学応答
-
13pWF-5 有機磁性分子における光励起および電子ドープによるスピン整列制御 II(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
-
30pWN-6 有機磁性分子における光励起および電子ドープによるスピン整列制御(分子磁性体(合成・修飾・構造))(領域7)
-
有機分子材料の電子状態II
-
有機分子材料の電子状態I
-
25aYF-12 オリゴチオフェンの荷電状態における分子間相互作用の効果(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
有機磁性分子におけるスピン整列の電子的制御(最近の研究から)
-
31aZA-12 有機磁性分子のスピン整列制御に関する理論 II
-
29aYD-7 オリゴチオフェンのポーラロンに対する ab Initio 計算
-
18aWF-5 電荷移動錯体の中性 : イオン性転移におけるステージング構造
-
30pYX-5 電荷移動錯体の中性-イオン性転移における鎖間相互作用II
-
28aXD-4 DMRG法による非縮退導電性・性高分子の高ドープ状態と半導体・金属転移の理論 III
-
25aYH-2 DMRG法による非縮退導電性高分子の高ドープ状態と半導体・金属転移の理論II
-
24pTC-3 導電性共役高分子のキャリアーと高ドープ状態
-
23pRA-5 光誘起相転移物質TTF-CAにおける静電相互作用
-
23aRA-11 電荷移動錯体の中性-イオン性転移における鎖間相互作用
-
22pS-10 DMRG法による非縮退導電性高分子の高ドープ状態と半導体・金属転移の理論
-
3p-C-10 ポリアセチレンにおける電荷の輸送 : 鎖間トランスファー
-
2a-YX-7 共役高分子の励起子および非線形励起の物理
-
導電性高分子PPVにおける励起子効果
-
27p-J-8 ソリトン格子系における励起子効果と光学非線型性
-
27p-PS-73 銅を含む二電子帯モデルの対角化法による超伝導転移の研究
-
30pYX-10 3倍周期電荷秩序を伴うモット転移における自己ドーピング
-
25pYG-2 MMX鎖における電荷秩序と光吸収スペクトル
-
25pR-6 MMX鎖における多様な電荷秩序とpd混成効果
-
30-p-XB-1 1次元ハロゲン架橋金属錯体(MMX Chain)における多様な相状態と相関効果
-
2a-YX-9 密度行列繰り込み群の方法による非縮退共役高分子中のポーラロンとバイポーラロンII
-
導電性高分子におけるバイポ-ラロン--密度行列繰り込み群による新しい理論
-
5p-D-8 密度行列繰り込み群の方法による非縮退共役高分子中のポーラロンとバイポーラロン
-
1p-YG-12 共役高分子における一重項励起状態と誘導吸収の理論
-
8a-G-14 フェニル環を有する共役高分子の電場変調スペクトルの理論
-
共役高分子の励起子緩和と誘導吸収の理論
-
ポリパラフェニレンビニレンの光学吸収の理論
-
1p-B-8 共役高分子の光誘起吸収の理論 II
-
29p-M-7 共役高分子の励起スペクトルと光学応答
-
25p-K-7 共役高分子の光誘起吸収の理論 : 3重項励起子
-
28pGAB-1 次世代ERL光源のための500kV光陰極電子銃開発(28pGAB 企画講演,レーザープラズマ・ビーム応用,ビーム物理領域)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク