28aXD-4 DMRG法による非縮退導電性・性高分子の高ドープ状態と半導体・金属転移の理論 III
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-03-09
著者
-
桑原 真人
名古屋大学・大学院理学研究科
-
阿部 修治
電総研
-
下位 幸弘
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
-
下位 幸弘
電総研
-
桑原 真人
分子研
-
下位 幸弘
産総研ナノテク部門ナノ機能合成研究体:分子研
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