1F16 近接昇華型 CVD 法による ZnO の作製

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本セラミックス協会の論文
• 2002-09-22

著者

• 西野 純一

  長岡技術科学大学化学系

• 西野 純一

  長岡技科大

関連論文

• HIPを利用した高密度ペロブスカイトLaNiO_3の作製
• アセチルアセトンによるZn0膜のエッチング
• 2D03 CVD 法による Al ドープ酸化亜鉛膜の合成
• 3B08 CVD 法による ZnO 薄膜の合成
• 1E04 高導電性 Ni 複酸化物の合成と物性
• Si(OC_2H_5)_4 を用いたゾル-ゲル法によるケイ酸塩化合物の合成 : ZrSiO_4 の場合
• パルス電析法によるAgNO_3水溶液からの銀樹の形態制御(E)
• 1F16 近接昇華型 CVD 法による ZnO の作製
• アルギン酸アンモニウム及びクエン酸を用いたYBa2Cu3O7-δ, Bi-Sr-Ca-Cu-O系超伝導酸化物の合成
• CdS薄膜電析における添加剤の影響に関するボルタンメトリーによる研究
• 交互イオン堆積法によるCdS薄膜作製における原料溶液の効果
• 水溶液からの電解析出法によるCdS膜合成における光照射効果
• X-ray Source with Cold Emitter Fabricated Using ZnO Conductive Whiskers
• Coating of Wide-Band-Gap Material on Whisker-Type Cold Emitter

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク