30p-G-4 PAAmゲルの乾燥による低周波ラマン散乱スペクトル変化
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概要
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- 1998-03-28
論文 | ランダム
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- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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