暗減衰過渡分光法におけるＰｏｏｌｅ‐Ｆｒｅｎｋｅｌ効果の影響
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概要
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暗減衰過渡分光法1)に対し，Poole-Frenkel（P-F）効果の影響を考慮した理論を基に，暗減衰特性の数値計算を行い，実験結果に与える影響を予測した．また，PF効果を表面電位と試料膜厚から求めた平均電界によって補正することにより，放出準位分布を求めることが可能であることがわかった．これを基に，a-Si:H感光体の暗減衰特性を解析すると，トラップされた電子の放出過程はP－F効果に大きく影響されていることが判明した．その放出準位密度は，試行離脱周波数をν0＝1012Hzと仮定すると，伝導帯端より0.8eV付近で4×1015eV-1cm-3で，それより深い準位ではエネルギの増加とともに大きくなり0.88eVで約2×1016eV-1cm-3であった．
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The Imaging Society of Japan | 論文
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