アモルファス半導体の局在準位分布の新しい評価法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
アモルファス半導体の過渡光伝導からその局在準位密度分布を決定するラプラス変換を用いた新しい方法を提案した．従来の方法とは異なり，本方法は再結合時問をはさんだ広範囲の過渡光伝導から局在準位密度分布を決定することが可能である．アモルファス半導体でよく見い出される様々な局在準位密度分布への本方法の適用性を数値計算により吟味した．その結果，本方法はほとんどすべての分布に対して有効であることを示すことができた．
- The Imaging Society of Japanの論文
The Imaging Society of Japan | 論文
- マグネトロン・スパッタリング法によるアルモファス・シリコン膜の高速堆積法（1）:—磁界強度の効果—
- ハーフトーン画像のドット構造解析 Ｉ ドット形状の観察
- ハーフトーン画像のドット構造解析 ＩＩ マクロ測色によるドットゲイン評価
- 熱転写記録方式の3次元熱伝導シミュレーション
- 絶縁性磁性トナーによる1成分系現像の機構（第1報）