マイクロ波プラズマＣＶＤ法によるａ‐ＳｉＧｅ：Ｈ膜のＳｔａｅｂｌａｒ‐Ｗｒｏｎｓｋｉ効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高真空下（～1 mTorr）の有磁場マイクロ波放電プラズマを利用したCVD法によって作製した光導電率が高いa-SiGe:H膜を用いて，Staebler-Wronski効果（SW効果）と呼ばれる，光照射による光導電率の変化をa-SiGe:H合金膜について調べた．<BR>a－SiGe：H合金膜の光導電率のSW効果は初期光導電率の大小によって判断される膜質よりもSi-Geの組成を反映する光学ギャップに大きく依存することを見出した．光導電率のSW効果は初期光導電率によらず光学ギャップが1.4eV程度の，SiとGeの等モル組成のa-SiGe:H合金膜になるとほぼ消失した．ただし，不均一構造を有すると思われる初期光導電率が低い膜では光照射後に光導電率が増大する負のSW効果が観察された．a-SiGe:H合金膜の光導電率のSW効果はa-Si:H膜に対して不連続であり，少量のGeを含有する合金膜の光導電率の低下はa-Si:H膜よりも大きかった．またa-SiGe:H合金膜の場合には時定数の大きな光導電率の低下が観察された．<BR>これらの結果はa-SiGe:H合金膜のギャップ内準位がa-Si:H膜とはかなり異なることを原映するためと判断される．
- The Imaging Society of Japanの論文
The Imaging Society of Japan | 論文
- マグネトロン・スパッタリング法によるアルモファス・シリコン膜の高速堆積法（1）:—磁界強度の効果—
- ハーフトーン画像のドット構造解析 Ｉ ドット形状の観察
- ハーフトーン画像のドット構造解析 ＩＩ マクロ測色によるドットゲイン評価
- 熱転写記録方式の3次元熱伝導シミュレーション
- 絶縁性磁性トナーによる1成分系現像の機構（第1報）