An Invitation to Sapphire-Anvil Technique.
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A brief description is given of the techniques for sapphire-anvil cell including anvil design, selection of gasket materials, operation, and applications.
- 日本高圧力学会の論文
著者
関連論文
- 31p-A-12 CoCl_2・6H_2Oの加圧下の相転移 : flopping fieldの圧力変化
- 3p-NQ-6 2-d AF CoCl_2・6H_2Oの加圧下の相転移-転移点近傍の比熱-
- ヨードアニルの圧力誘起金属化と超伝導
- 29a-N-6 高圧下におけるRbClのフォノン測定II
- 高圧下におけるRbClのフォノン測定
- 5a-AE-10 一次元化合物Pt(niox)_2In(n:0〜2)の電気伝導
- 5a-R-8 一次元錯体の電気伝導
- 1p-P-13 固体IBrの圧力誘起分子解離と金属化
- 4a-Q-1 SnI_4の圧力誘起構造変態III. : 非晶質金属状態の構造モデル
- 6a-PS-85 中性子散乱用多重極限装置によるTbNi_2Si_2の磁場誘起磁気構造の圧力効果I
- 24pPSB-8 希土類金属Hoの磁場下中性子回折
- NdCo_2Si_2の高圧下中性子回折(I)
- 15p-R-7 PrCo_2Si_2の高圧下中性子回折(I)
- 27p-F-1 希土類金属Tbの高圧下中性子回折(I)
- 高圧下の中性子散乱実験のためのクランプ式セル (Selected papers related to neutron diffraction studies by the use of KUR-TAS)
- TbNi2Si2の(磁場・圧力)複合条件下中性子回折 (「極端条件下における中性子回折・散乱」第2回ワークショップ報告書)
- 高圧装置の現状と問題点 (「極端条件下における中性子回折・散乱」第2回ワークショップ報告書)
- 29p-P-11 中性子散乱用三重極限(高圧、高磁場、低温)装置の製作
- 高圧下の中性子散乱実験のためのクランプ式セル
- 2a-KE-8 SnI_4の圧力誘起構造変態II非晶質金属状態
- 11p-T-3 SnI_4の圧力誘起構造変態I
- 28p-C-4 バンド吸収端の圧力効果
- 30p-D-14 ラマン散乱による硫黄の相図の研究
- 中性子散乱のための高圧装置開発と成果
- 固体圧縮領域における圧力定点とその問題点について (高圧力下の圧力スケ-ルと圧力測定法特集号)
- 合成サファイアを対向アンビルとして用いる高圧発生
- 高圧力を利用する無機材料合成-1-
- 固体圧縮領域(10-25GPa)における圧力定点とその問題
- 25aY-3 シリカガラス中の希土類イオンの蛍光特性に及ぼす圧力効果
- 2p-B-4 ヨードアニルの低温高圧下電気抵抗測定III
- 27p-PSB-7 高密度化ガラスSiO_2のS(Q)におけるFSDPの変化
- 28p-K-3 ヨードアニルの低温高圧下電気抵抗測定II
- 28a-F-12 高密度化ガラスSiO_2のフォノンモード
- 28a-YS-12 ヨードアニルの低温高圧下電気抵抗測定
- 高圧下における無触媒プロセス (化学工業の新天地を求めて)
- 1p-PS-28 SnTeの新しい高圧相
- 30a-M-12 PbTeのCsCl型高圧相と転移機構
- 2a-N-3 X線回折によるPbTeの高圧相転移の研究
- 2p-SB-29 高圧相Fe_2SiO_4のメスバウアー効果
- 高圧下におけるアモルファス炭素からのダイヤモンド合成(高圧力小特集)
- Looking Ahead for Materials and Processes, J. de Bossu, G. Briesn, P. Lissac (編), 1987年, Elsevier Science Publishers 発行, B5判, 496ページ, Dfl. 250.00(高圧力小特集)
- みなおされるダイヤモンド(信頼性工学小特集)
- Gordon Conference on Research at High Pressure
- 共立科学ブックス 73, ダイヤモンド, 崎川範行(著), 共立出版(株)発刊, B6判, 170ページ, 1500円
- Frontiers in Material Technologies, M.A. Meyers, O.T.Inal(編), 1985年, Elsevier Sci. Publ 発行, 17×25cm, 558ページ, Dfl.295
- "Ion Implantation and Ion Beam Processing of Materials", G.K. Hubler, O.W. Holland, C.R. Clayton, C.W. White (編), 1984年, North-Holland発行, A5判, 800ページ, Dfl. 295
- "金属間化合物", 山口正治, 馬越佑吉 (著), 1984年, 日刊工業新聞社刊, A5判, 193ページ, 2 800円
- 27a-RD-9 固体ヨウ素の圧力誘起斜方晶-正方晶転移
- 2p-N-13 ダイヤモンドのH2及びH3センターのフォトクロミズム(III)
- 3p-B-14 ダイヤモンド中のH2及びH3センターのフォトクロミズム(II)
- An Invitation to Sapphire-Anvil Technique.