基板の変形量とX線応力測定法で求めたTiNx皮膜の残留応力の比較
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概要
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TiNx films (N/Tiratio=1.09∼0.8) were ion-plated onto silicon wafers, and comparisons were made between their residual stresses as determined by substrate deflection and X-ray stress measurment. Maximum compressive-stress was obtained at an N/Ti ratio of 1 by the former method, and at ratios lower than 1 for the latter.
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