スパッタリングによる半導体TiO2薄膜の形成とNOガス感知特性の評価
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概要
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Semiconductive TiO2 thin films were deposited by RF magnetron sputtering.These films were then characterized to evaluate their NO gas sensitivity.The results are as follows;1. TiO2 thin films deposited at a power of 700W, substrate temperature 750°C and gas pressure 1.1∼4.1Pa are all n-type semiconductive ones.2. The specific resistivity of films deposited at gas pressures of 5.3∼10.6Pa decreased markedly compared to those deposited at 1.1∼4.0Pa.This was found to be caused by the increase in carrier concentration as a result of the large number of oxygen defects in the films.3. The NO gas sensitivity of films deposited at 2.7∼4.0Pa was the highest of all films, and these showed a resistivity change ratio of about 20∼24% at 200°C.This high sensitivity is attributed to the decrease in the grain size of the crystal column of films.
- 社団法人 表面技術協会の論文
著者
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桑野 三郎
静岡県静岡工業技術センター 現 : 常葉学園短期大学
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伊藤 芳典
静岡県静岡工業技術センター
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桑野 三郎
静岡県静岡工技セ
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畠山 義則
日本テキサス・インスツルメンツ (株) 小山工場
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田中 毅
日本テキサス・インスツルメンツ (株) 小山工場
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