半導体用高純度フッ化水素酸
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概要
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半導体用50%濃度の高純度フッ化水素酸を精製するため,フッ素樹脂製精留塔を作り,無水フッ化水素酸の気相とフッ化水素酸との混合物の状態で蒸留精製を行なった.さらに,RIトレーサー<SUP>32</SUP>P,<SUP>74</SUP>Asを用いてフッ化水素酸精製過程および分析操作中のリン,ヒ素の挙動を検討した.<BR>ケイフッ酸0.2%,リン酸塩0.003%,ヒ素0.002%,硫酸塩0.01%を不純物として含む68%フッ化水素酸1kgに,ヒ素の酸化剤として過硫酸アソモニウムと硫酸銀,ケイフヅ酸の定着剤として炭酸ナトリウムを添加し,24〜25℃で蒸留すれば,ケイフヅ酸0.0004%,リン酸塩0.000005%,ヒ素0.000001%の51%濃度フッ化水素酸が,80%収量で得られ,再蒸留を行なうと,リン酸塩,ヒ素をほとんど含まない精製品が得られた.
- 社団法人 日本分析化学会の論文
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