CVD反応装置内のシミュレーション
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概要
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化合物半導体のエピタキシャル成長法の一つとして, MOCVD法が注目されている.しかし, 基板上において, 広範囲で, 均一な層厚・層質を実現することのできる装置形状・操作条件等は, 試行錯誤でもとめられているのが現状である.そのため, 適正な装置形状・操作条件を, 装置内での反応機構・輸送現象の面から設計するための方法論の確立が必要である.<BR>本報告では, 特にGaAs用常圧MOCVD法を例にとり, 横型CVD装置の設計の可能性について検討した.装置内の原料拡散に加え, 気流 (強制対流・自然対流), 熱伝導, 気相中における有機金属の分解反応を考慮したモデルに基づく数値計算を行った.その結果, 入口における原料濃度分布の制御および原料吹き込み口の分散化により, CVD装置内の気相中原料濃度を積極的に制御することが, 均質なエピタキシャル層を得るために有効であることが示唆された.
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