膜の成長過程におよぼす残留ガスの影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Influence of residual gas during the process of film growth has been studied by means of observation of the cross-sectional structure of the film. It has been shown that, as the vapor pressure of residual gas increases, the crystal grain boundary appears along the direction of film growth and finally it changes into the void. To make clear these results, measurement of electrical conduction and X-ray diffraction analysis in comparison with the cross-sectional structure have also been made. Finally, for the change in cross-sectional structure, phenomenological treatment of mass transfer based on the surface diffusion and deposition of atoms has also been made. It shows that these treatment agree well with the experimental results.
- 日本真空協会の論文
著者
関連論文
- イオン化蒸着法によるダイヤモンド及びcBN膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- イオン化法によるBN薄膜の作製 (第26回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和60年11月6日〜8日,東京)
- イオン化によるc-BN薄膜の形成
- アセチレンのイオン化蒸着によるダイヤモンド状カ-ボン膜
- シングルグリッド型LEED-AES-AEAPS装置 (第22回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- イオン化蒸着による硬質カ-ボン膜 (第22回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 高性能3枚グリッド型LEED-AES装置の試作
- イオン蒸着による銀簿膜
- イオン蒸着によるAg膜の成長過程
- 金属蒸着膜の断面構造 : 薄膜
- 島状構造を持つ薄膜の電気特性 : 表面物理, 薄膜
- 金属蒸着膜の電気伝導機構 : 表面物理, 薄膜
- イオン化によるc-BN薄膜の形成
- 高性能3枚グリッド型LEED-AES装置の試作
- PVDによるダイヤモンド薄膜の合成 (ダイヤモンド)
- イオン化法によるBN薄膜の作製
- アセチレンのイオン化蒸着によるダイヤモンド状カーボン膜
- シングルグリッド型LEED-AES-AEAPS装置
- イオン化蒸着による硬質カーボン膜
- イオン蒸着によるAg膜の成長過程
- 膜の成長過程におよぼす残留ガスの影響
- Bi蒸着膜の断面構造とその現象論的解析
- 真空下における硬質カ-ボン膜の電気摺動特性 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)