Ar-O<SUB>2</SUB>雰囲気中の鉄の反応スパッタリング
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概要
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R. F. reactive sputtering of iron in mixed argon-oxygen atmospheres has been investigated by means of measurements of deposition rate, electrical resistivity, and X-ray and electron diffraction. Thin films of iron oxides were deposited on glass, alumite, and (001) NaCl substrate, while changing the oxygen partial pressure from 2 × 10<SUP>-4</SUP> to 5 × 10<SUP>-2</SUP> Torr at a total pressure of 1.5 × 10 <SUP>-2</SUP> Torr.<BR>A hysteresis of the deposition rate was found in an increasing and decreasing cycle of the oxygen partial pressure. This phenomenon was explained by a model based on the relative relation between the sputtering rate and the oxidation rate of an iron target surface. Hence, two stationary reactive sputtering states were found to exist between certain critical values <I>p</I><SUP>*</SUP> and <I>p</I><SUP>**</SUP>, where the depositon rate changed drastically. One was a high deposition rate, the other was a low one, associated with a clean iron target and anoxidized one, respectively. In the former state, Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB> single phase films were obtained by controlling the deposition rate. Properties such as lattice constant, microstructure, and orientation of the deposited Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB> films formed at various oxidation degrees were also examined.
- 日本真空協会の論文
著者
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太田 聡
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
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服部 誠示
日本電信電話公社電気通信研究所
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石井 芳一
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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服部 誠示
日本電信電話公社茨城電気通信研究所
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太田 聡
日本電信電話公社茨城電気通信研究所
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