イオンビームスパッタ法によるTiO<SUB>2</SUB>薄膜の作成

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概要

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• TiO<SUB>2</SUB> thin films were prepared on glass substrates by reactive ion beam sputtering method. A metalic Ti target was sputtered by Ar ion beam, and O<SUB>2</SUB> gas was introduced as reactive gas.<BR>Deposition rate of films increased as ion beam energy became higher. When oxygen partial pressure was 5×10<SUB>-5</SUB>Torr or above it, Ti atoms reacted with oxygen, and transparent TiO<SUB>2</SUB> films were obtained. Films deposited on glass substrates at 200°C or above it had crystal structure of the rutile which is the high-temperature stable phase of TiO<SUB>2</SUB>. These results suggest the contribution of energy of sputtered particles to decrease of crystallization temperature.

• 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文

著者

• 上條 栄治

  龍谷大学 理工学部

• 神代 善正

  石原産業(株)中央研究所

• 神代 善正

  石原産業(株) 中央研究所

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