Siへのイオン打込みによる格子欠陥

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概要

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• The lattice defects in silicon crystals produced by ion-implantation are strongly dependent both on implantation conditions and on successive heat treatments. Their type, nature, morphology and thermal behavior are described on the basis of the results revealed mainly by transmission electron microscopic observations. Mechanisms of defect formation and growth are also discussed.

著者

• 田村 誠男

  光技術研究開発(株)つくば研究所(光技研):(現)オングストロームテクノロシ研究機構

• 田村 誠男

  (株) 日立製作所中央研究所

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