炭素イオン打込みによるゲッタリング

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概要

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• 低エネルギ炭素イオン打込みによる鉄のゲッタリングを交流光電圧法による評価した。エネルギ60keV、ドーズ量1×10^15>cm^-2>の炭素打込みにより、基板中の鉄濃度を3.5×10^13>cm^-3>から1.0×10^13>cm^-3>に低減した。また、1×10^13>cm^-2>以下の低ドーズの打込みは、鉄のゲッタリングに効果的ではない。シリコン基板表面の近傍に打込まれた炭素原子は、基板上に成長させた酸化膜の欠陥を顕著には増加させない。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-07-26

著者

• 磯前 誠一

  日立製作所中央研究所

• 安藤 敏夫

  日立製作所デバイス開発センタ

• 近藤 香織

  日立製作所デバイス開発センター

• 田村 誠男

  光技術研究開発(株)つくば研究所(光技研):(現)オングストロームテクノロシ研究機構

• 田村 誠男

  光技術研究開発株式会社つくば研究所

• 杉野 雄史

  日立製作所甲府製造本部

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