3. 有機金属気相法による原子層成長
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概要
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Atomic layer epitaxy has been developed for III-V compounds using metalorganic and hydride sources. The growth rate was clearly self-limited under a wide range of growth conditions. Epitaxial layers of high purity without carbon contamination could be grown. The growth mechanism was studied and a model based on dissociative adsorption of group III source molecules was proposed. Strained-superlattices (GaAs) <I><SUB>m</SUB></I> (GaP) <I><SUB>n</SUB></I> were grown and exhibited an ideal self-limiting mechanism even for the monolayer superlattice case. The selective growth of fine patterns and good uniformity of the epitaxial thickness on a large-scale wafer showed that ALE is promising for a process technology.
- 日本結晶学会の論文
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