フォトルミネッセンスによる深い準位の検出--ODMR (半導体中の深い準位の光による検出法(技術ノ-ト))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- GaAs気相エピの相互汚染について : エピタクシー
- 半絶縁性GaAsエピタキシャル層の気相成長 : エピタクシー
- 14a-E-7 n型InPにおける磁気フォノン共鳴
- P-4 n型InPにおける磁気フォノン共鳴(ポスター・セッション)
- 3p-B-11 GaAs中の深い準位を示す発光センターの動的性質
- 3p-Q-5 GaAs中の深い不純物準位に捕えられた励起子発光
- 3. 有機金属気相法による原子層成長
- 半導体の単原子層薄膜 (90年代のキ-テクノロジ-)
- 3-5族化合物半導体のMOVPEとALEの最近の発展
- 13a-Y-3 GaAs中の深い不純物準位に捕えられた励起子発光
- フォトルミネッセンスによる深い準位の検出--ODMR (半導体中の深い準位の光による検出法(技術ノ-ト))