PLD法による酸化スズ(SnO_2)薄膜ガスセンサの作製
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概要
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Tin oxide (SnO2) thin films were deposited on silicon (100) and alumina substrates by using a pulsed laser deposition (PLD) method. X-ray diffraction pattern shows that crystallinity of the film increased with increasing oxygen gas pressure and substrate temperature. Gas sensitivity of the film for 0.31vol% H2 gas increased with increasing oxygen gas pressure and substrate temperature. In addition, Pd doped SnO2 thin films can be prepared using new PLD method combined with d.c. sputtering to prepare highly sensitive gas sensors.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2003-02-01
著者
-
川崎 仁晴
佐世保工業高等専門学校電気電子工学科
-
須田 義昭
佐世保高専
-
大島 多美子
佐世保高専
-
川崎 仁晴
佐世保高専
-
大島 多美子
熊本大学工学部
-
岩辻 圭太郎
佐世保高専
-
大島 多美子
熊本大学
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