28pAM-10 高速陽子表面散乱法による電子刺激脱離KBr(001)表面の脱離周期測定(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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