HTS薄膜を積層した高磁場耐性HTS-SQUIDの開発(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)
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概要
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本研究では,環境磁場中での安定・低ノイズ動作を可能とするため,高磁場耐性を有するHTS-SQUIDマグネトメータの開発を行った.薄膜線幅が全て5μmとなるメッシュ購造を有するHTS-SQUIDマグネトメータを設計・試作し,同様のメッシュ構造をもつHTS薄膜をフリップチップで積層し,上記SQUIDの特性をDCおよびAC磁場中で測定した.DC磁場を印加した場合,SQUIDの臨界電流Icは約140μTの磁場が印可されるまで変化しなかった.これは積層したHTS薄膜のマイスナー効果によるものと考えられる.10MHzのAC磁場が印可された場合,SQUIDの変調深さV_<pp>やノイズレベルS_φ^<1/2>は,薄膜が積層された場合,積層のないSQUIDと比較して,より小さな磁場強度で特性の劣化が見られた.
- 2014-01-16
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