ホスホン酸SAMを用いた銅フタロシアニンの配向制御(有機デバイス・センサー,一般)
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概要
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ITO基板上にフッ素末端基を有するホスホン酸系の自己組織化単分子膜(P-SAM)を成膜することで、その上に積層した銅フタロシアニン(CuPc)蒸着膜の配向・膜構造の制御を試みた。一般的に熱に強いとされるP-SAMを用いると、有機膜の蒸着時の基板温度の制御の幅が広がる。本実験では、P-SAMは真空下で523Kまで安定して存在することが確認された。298K・473Kの基板温度条件において真空蒸着法によりCuPc薄膜を作製し、配向・構造の評価を行った。P-SAMで修飾した基板上に、498Kの基板温度条件下においてCuPcを蒸着すると長さ数100nm〜1μmのピラーの成長が観察され、面外への成長が促進されることがわかった。また、P-SAMで修飾した基板上におけるCuPc薄膜中の分子配向は、基板面に平行な成分が増加していた。
- 2013-10-04
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