31a-Q-2 BaSi_2とSrSi_2の電子密度分布(31aQ 金属,金属)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1996-03-15
著者
関連論文
- 2a-S-4 X線回折によるアルカリ金属ドープC_60の電子密度
- 28a-PS-77 高圧下に於けるNiOの結晶構造
- NiOの超高圧下での結晶構造
- 2a-L-11 チタン酸バリウム立方晶構造の再検討
- 5p-B5-14 酸化物超伝導体BaPb_Bi_xO_3(X=0.25)のソフトフォノンモードの測定
- 2a-N-8 表面接触入射X線回折法(そのII)
- 3a-M-10 合金単結晶からのX線散漫散乱強度の成分分離への異常散乱現象の利用
- 3a-M-4 半導体超格子構造に伴う歪分布のX線散乱法による解析
- 4a-BC-10 KENS FOXにおけるデータ処理
- 1a-KN-8 CsPbCl_3中性子回折データの再解析
- 11p-T-11 フォトンファクトリー低温X線回折ゴニオメータの建設
- 11p-T-8 X線異常散乱を用いたCu_2NiZn合金の短範囲規則の測定
- 11a-H-9 KMnF_3の非調和熱振動
- 11a-H-8 CsPbCl_3の非調和熱振動について : Mair(1982)に対する反論
- 温度因子と非調和熱振動
- 3a GG-10 CsPbX_3のM_3モード凍結とCubic相における異方的非調和熱振動
- 1a-BD-12 CsPbBr_3 立方昌の結晶構造と温度因子
- 11a-J-3 CsPbX_3の温度因子の非調和性
- 6a-B-9 CuCl熱振動の非調和性 : 中性子線回折による
- 5a-B-12 TDSの補正 II
- 10p-T-2 TDSの補正
- 10a-P-11 正方晶系チタン酸バリウムのキュリー点近傍での中性子回折による温度因子
- 31p-TJ-6 選択配向性のある粉末X線データのMEMによる解析
- 5a-P-10 MEMによるab initio粉末構造解析の試み
- 31p-PS-126 正方晶YBa_2Cu_3O_yのマキシマムエントロピー法により求めた電子密度分布について
- 25p-T-5 GaSbの高圧相からのアモルファス化
- 14p-DL-3 MEMによるウルツァイト型構造ZnOの電子密度
- 29pXD-13 Siクラスレートを含むSr-Ga-Si系化合物の合成
- 6a-B5-3 断面TEM像の光回折による結晶表面構造の評価
- 28p-M-8 マキシムエントロピー法により求めた氷(I_h)の電子密度分布
- BaSi_2 の高温高圧下における相転移とクエンチされた準安定相の電気的性質
- BaSi_2の圧力誘起相転移
- 27aC-2 B_Si単結晶育成と電気抵抗測定
- 3a-YC-12 BaSi_2の高圧相の電気抵抗
- 28a-Z-11 Si/CoSi_2(111)のショットキー障壁
- 23pTF-6 SrSi_2の高温高圧下での相転移
- 28a-S-4 ドリフトチューブを用いたSiクラスターの易動度の測定
- 20pTJ-7 集積型銅錯体細孔中の酸素ラダーの構造
- 23aYH-6 モデルフリーなMEM解析によるフラーレン化合物の構造決定
- 25a-S-11 単結晶中性子回折データを用いたマキシマム・エントロピー法によるBeの熱振動の直接決定
- 27a-ZE-4 hcp金属の電子密戸分布と層構造について
- 29p-BPS-23 C_の放射光による粉末X線回折
- 31p-TJ-8 SiO_2ガラス中のCdS微粒子のX線回折による評価について
- Sr-Ga-Si系化合物の構造と電気的性質
- 14p-DL-2 マキシマムエントロピー法によるCs_3CoCl_5の偏極中性子回折データの解析
- 6a-X-1 構造相転移とモデルフリーな構造解析
- 4a-B5-11 Maximum Entropy法による精密結晶構造解析II
- 4a-TA-7 放射光とIPの組合せによる粉末X線回折について
- 温度因子と非調和熱振動
- 放射光用結晶分光型四軸回折計の製作とそれによる散漫散乱測定
- SnO2の原子核密度分布と非調和熱振動
- MEMにより求めたYBa2Cu3Oyの電子密度分布について
- MgベースLaves相合金の電子密度分布
- Laves相合金MgCu2のMEMによる電子密度
- Na-Fe-B素B-rich相の変調構造
- 27a-L-10 マキシマムエントロピー法による核密度分布について
- 27a-L-9 温度変化による差密度分布の直接観察
- フォトン・ファクトリーにおける水平型X線回折計による実験―物性低温グループ
- タイトル無し
- タイトル無し
- Optical Type Huang Scattering Induced by Short-range Ordering of Vacancies in NbC0.72
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- 1a-D-11 非晶質合金Ni_Nb_のChemical Short Range Order
- タイトル無し
- タイトル無し
- 28p-EB-4 イオン注入したシリコンによるブラグ反射プロファイルの変化(X線・粒子線)
- 31a-Q-2 BaSi_2とSrSi_2の電子密度分布(31aQ 金属,金属)
- 30p-TH-1 Maximum Entropy法におけるSuper Resolutionについて(30pTH X線・粒子線)
- 1a-A3-8 MBEで成長させた(GaAl)As膜からのTDSの解析(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
- 31a-M3-5 マキシマム・エントロピー法による精密結晶構造解析(X線・粒子線)
- 28p-EB-5 シリコン表面から観測される棒状散乱の3軸X線回折法による高分解能測定(X線・粒子線)
- タイトル無し
- 1a-A3-7 エネルギー分散型X線回折法によるGaAsのAsの分析(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)