24pYJ-1 MgドープB正20面体クラスター固体における超伝導探索(24pYJ MgB_2と関連物質,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 藤原 明比古

  北陸先端大

• 木村 薫

  東大新領域

• 寺内 正己

  東北大多元研

• 矢幡 洋

  東大工

• 小栗 淳司

  東大新領域

• 曽我 公平

  東大工

関連論文

• 23aGS-11 六方晶窒化ホウ素へのLiインターカレーションII(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGS-9 ピセン薄膜FETデバイスのnチャネル動作(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGS-10 種々の有機薄膜FETのイオン液体ゲートキャパシタによる低電圧駆動(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aGR-12 Rb,Cs,Naをドープしたピセンの物性と構造(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGR-11 ボロン正20面体クラスター固体へのLiイオン注入(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGR-14 B_4Cにおける高圧下での微細構造変化(2)(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGR-13 Liドープα菱面体晶ボロンの超伝導(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• ボロン融体の表面張力と粘性測定
• ピセンの超伝導
• 29pYG-11 C_/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-11 C_/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pYD-2 疎水処理基板を用いたn型C_FETの大気曝露効果(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aGR-13 Caをドープしたピセンの物性と構造(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYD-2 有機芳香族分子電界効果トランジスタの低電圧駆動と界面制御(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pYD-8 Li, Me, Vドープβ菱面体晶ボロンの核磁気共鳴(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pYG-6 Liドープβ菱面体晶ボロンの核磁気共鳴(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pXA-2 TEM-XESによるボロン正20面体クラスター固体の電子構造の研究(クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aTJ-13 TEM-EELSによるLi, Mgドープボロンの電子構造の研究
• 18aTJ-12 ボロン正20面体クラスター固体へのLi, Mgドープによる超伝導体探索
• 28aTC-13 高分解能EELSによるLiドープαボロンの電子状態の研究
• 28aTC-12 α菱面体晶ボロンへのLiドープと新超伝導体の探索
• 25aYF-2 高分解能EELSによるBNコーンの電子状態の研究 II
• 高分解能EELSによるBNコーンの電子状態の研究
• 23pS-6 高分解能EELSによるBNコーンの電子状態の研究
• 8a-D-13 熱処理によるBNナノチューブの生成条件
• 31a-D-14 BNナノチューブの生成と構造・電子構造の研究
• 透過型EELSによるLiドープしたα-ボロンの電子構造の研究
• 1a-F-9 透過型EELSによるB_クラスター固体の電子エネルギー損失スペクトル
• 28a-J-1 サッカーボールを含むボロン系固体の金属ドーピングと電子物性II
• 20pRF-1 Cd-Ca系準結晶及び近似結晶の陽電子消滅による研究(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 26pYD-9 TEM-EELSによるLiドープ処理alpha-rhombohedral-boronの電子構造の研究(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pYG-4 α菱面体晶ボロンの高純度化とLiドープによる超伝導探索(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aRG-2 正方晶ボロンナノベルトのMgドープと電気物性測定II(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYB-6 透過型電子顕微鏡用いたMgドープボロンナノベルトの電子構造の研究II(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aRC-4 透過型電子顕微鏡を用いたMgドープボロンナノベルトの研究(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-6 アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-6 アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28pYD-6 超高真空中におけるフラーレン薄膜の作成と電界効果特性
• 24pXP-3 BRuTi急冷合金中の十回対称的非周期構造(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 20aRF-2 新しいBMgRu近似結晶の作製と構造(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• アルミ系正20面体準結晶の熱電材料としての可能性
• 28aRC-11 3族元素の作る特異な形態の共有結合の観察(28aRC クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pXA-5 Vドープβ菱面体晶ボロンの電子密度分布解析(クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pXA-3 溶液プロセスによるフラーレン系電界効果デバイスの作製とFET特性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pXA-2 フラーレンを用いた機能性電界効果トランジスターの作製とキャラクタリゼーション(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aYF-12 カーボンナノチューブ間抵抗の電界による変調(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12pWF-14 酸素を吸着した SWNT バンドルの磁性と構造(ナノチューブ物性, 領域 7)
• 29pZP-14 酸素を吸着したSWNTバンドルの磁性と構造(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
• 23aWF-7 ボロンナノベルトの構造と電気伝導における中性子照射の影響(23aWF ゼオライト・分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTH-4 ボロンナノベルトの電気伝導における放射線照射の影響(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYG-7 絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-7 絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pTG-3 有機薄膜電界効果トランジスタのトラップ準位と動作特性の相関(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pTG-4 有機FETの電極-活性層界面の電子状態評価(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRB-10 FETデバイスにおける電極から有機活性層へのキャリア注入の定量評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aTB-10 ピセン薄膜FETにおける界面トラップと伝達特性に現れるヒステリシス(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 芳香族分子ピセン結晶における超伝導の発見(最近の研究から)
• 21pQC-1 C_FETの電子注入と電子輸送に対するポテンシャル障壁(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pQC-1 C_FETの電子注入と電子輸送に対するポテンシャル障壁(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYG-9 C_FETにおけるチャンネルへのキャリア注入(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-9 C_FETにおけるチャンネルへのキャリア注入(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pXA-4 C_薄膜電界効果トランジスタにおけるサイズ・温度依存性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYK-3 C_短チャンネルトランジスタの輸送特性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aRL-6 新規有機物質の正・逆光電子分光による電子状態の観測(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYF-8 フラーレン電界効果デバイスの動作特性制御と集積回路設計(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-1 フラーレン誘導体を用いた電界効果トランジスターデバイスの特性と動作制御(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pRB-8 有機炭化水素系物質の超伝導(25pRB 領域7シンポジウム:有機超伝導体の発見から30年を経て,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aRL-5 アルカリ土類ドープピセンの構造と物性(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pXF-8 金属内包フラーレンの薄膜およびナノスケール物性
• 29pZB-2 金属内包フラーレンの電子的特性
• 18pWF-11 Dy@C_異性体IとIIの電子的特性
• 18pWF-4 Ca, SrおよびCsドープC_の高圧での物性
• 26aRL-3 超伝導体K_3piceneの圧力効果(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRL-6 EDLキャパシタ有機芳香族薄膜・単結晶FETの温度依存性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pZB-4 STM/STS による M@C_ (M=Ce, Dy) の構造と電子状態の観察
• 28pYD-10 高次フラーレンおよび金属内包フラーレン薄膜 FET の基本特性
• 28pYD-5 ペンタセンーフラーレン薄膜 FET
• 22pXG-9 種々のフラーレン薄膜 FET の基本特性とその応用
• 27aZP-3 C_ウィスカーの伝導特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
• 27aZP-3 C_ウィスカーの伝導特性(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
• Spin Injection into Organic Light-Emitting Devices with Ferromagnetic Cathode and Effects on Their Luminescence Properties
• 21aXF-13 単層カーボンナノチューブ薄膜の光伝導による輸送特性評価
• 31aZB-10 単層カーボンナノチューブの光伝導温度依存性
• 有機分子性固体における電界効果キャリア注入と物性制御
• 25aTJ-5 静電ポテンシャル解析によるクラスレート結晶のラットリング運動可視化と定量評価(25aTJ 籠状物質(クラスレート化合物),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTD-3 クラスレートのラットリングと熱伝導の相関に対する静電ポテンシャル解析を用いた定量評価(22pTD クラスレート系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTG-5 イオン液体を用いる電気二重層トランジスタと電気化学トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 放射光を用いカーボンナノチューブの構造研究
• 領域7「クラスター空隙に創成された物質の新規状態」(2003年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• 20pTJ-1 クラスター空隙に創成された物質の新規状態
• 8aSD-6 金属内包フラーレン薄膜FETの作製と基本特性(電解効果ドーピング,領域7)
• 6pSE-2 金属内包フラーレンの輸送特性(フラーレン,領域7)
• 8aSD-2 フラーレンをベースにした種々のFET構造の作製とその動作特性(電解効果ドーピング,領域7)
• 25pXN-14 Dy@C_およびDy@C_の輸送特性(25pXN 金属内包フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 24pYJ-1 MgドープB正20面体クラスター固体における超伝導探索(24pYJ MgB_2と関連物質,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aXN-6 ボロン正20面体クラスター固体へのMgドープと電気伝導(24aXN クラスレート化合物,領域7(分子性固体・有機導体分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク