21pXA-4 C_<60>薄膜電界効果トランジスタにおけるサイズ・温度依存性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 藤原 明比古

  北陸先端大

• 仕幸 英治

  北陸先端大

• 松岡 亨卓

  北陸先端大

• 松岡 亨卓

  東北大金研:crest-jst

関連論文

• 22pGS-9 ピセン薄膜FETデバイスのnチャネル動作(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGS-10 種々の有機薄膜FETのイオン液体ゲートキャパシタによる低電圧駆動(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aGR-12 Rb,Cs,Naをドープしたピセンの物性と構造(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• ピセンの超伝導
• 29pYG-11 C_/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-11 C_/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pYD-2 疎水処理基板を用いたn型C_FETの大気曝露効果(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aGR-13 Caをドープしたピセンの物性と構造(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYD-2 有機芳香族分子電界効果トランジスタの低電圧駆動と界面制御(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pYG-6 アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-6 アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28pYD-6 超高真空中におけるフラーレン薄膜の作成と電界効果特性
• 21pXA-3 溶液プロセスによるフラーレン系電界効果デバイスの作製とFET特性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pXA-2 フラーレンを用いた機能性電界効果トランジスターの作製とキャラクタリゼーション(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aYF-12 カーボンナノチューブ間抵抗の電界による変調(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12pWF-14 酸素を吸着した SWNT バンドルの磁性と構造(ナノチューブ物性, 領域 7)
• 29pZP-14 酸素を吸着したSWNTバンドルの磁性と構造(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
• 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYG-7 絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-7 絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pTG-3 有機薄膜電界効果トランジスタのトラップ準位と動作特性の相関(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pTG-4 有機FETの電極-活性層界面の電子状態評価(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRB-10 FETデバイスにおける電極から有機活性層へのキャリア注入の定量評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aTB-10 ピセン薄膜FETにおける界面トラップと伝達特性に現れるヒステリシス(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 芳香族分子ピセン結晶における超伝導の発見(最近の研究から)
• 26aYF-3 金属-有機単結晶の界面物性とキャリア注入(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pQC-1 C_FETの電子注入と電子輸送に対するポテンシャル障壁(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pQC-1 C_FETの電子注入と電子輸送に対するポテンシャル障壁(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYG-9 C_FETにおけるチャンネルへのキャリア注入(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-9 C_FETにおけるチャンネルへのキャリア注入(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pXA-4 C_薄膜電界効果トランジスタにおけるサイズ・温度依存性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYK-3 C_短チャンネルトランジスタの輸送特性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aRL-6 新規有機物質の正・逆光電子分光による電子状態の観測(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYF-8 フラーレン電界効果デバイスの動作特性制御と集積回路設計(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-1 フラーレン誘導体を用いた電界効果トランジスターデバイスの特性と動作制御(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pRB-8 有機炭化水素系物質の超伝導(25pRB 領域7シンポジウム:有機超伝導体の発見から30年を経て,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aRL-5 アルカリ土類ドープピセンの構造と物性(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pXF-8 金属内包フラーレンの薄膜およびナノスケール物性
• 29pZB-2 金属内包フラーレンの電子的特性
• 18pWF-11 Dy@C_異性体IとIIの電子的特性
• 18pWF-4 Ca, SrおよびCsドープC_の高圧での物性
• 26aRL-3 超伝導体K_3piceneの圧力効果(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRL-6 EDLキャパシタ有機芳香族薄膜・単結晶FETの温度依存性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pZB-4 STM/STS による M@C_ (M=Ce, Dy) の構造と電子状態の観察
• 28pYD-10 高次フラーレンおよび金属内包フラーレン薄膜 FET の基本特性
• 28pYD-5 ペンタセンーフラーレン薄膜 FET
• 22pXG-9 種々のフラーレン薄膜 FET の基本特性とその応用
• 27aZP-3 C_ウィスカーの伝導特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
• 27aZP-3 C_ウィスカーの伝導特性(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
• Spin Injection into Organic Light-Emitting Devices with Ferromagnetic Cathode and Effects on Their Luminescence Properties
• 21aXF-13 単層カーボンナノチューブ薄膜の光伝導による輸送特性評価
• 31aZB-10 単層カーボンナノチューブの光伝導温度依存性
• 有機分子性固体における電界効果キャリア注入と物性制御
• 25aTJ-5 静電ポテンシャル解析によるクラスレート結晶のラットリング運動可視化と定量評価(25aTJ 籠状物質(クラスレート化合物),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTD-3 クラスレートのラットリングと熱伝導の相関に対する静電ポテンシャル解析を用いた定量評価(22pTD クラスレート系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTG-5 イオン液体を用いる電気二重層トランジスタと電気化学トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 放射光を用いカーボンナノチューブの構造研究
• 領域7「クラスター空隙に創成された物質の新規状態」(2003年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• 20pTJ-1 クラスター空隙に創成された物質の新規状態
• 8aSD-6 金属内包フラーレン薄膜FETの作製と基本特性(電解効果ドーピング,領域7)
• 6pSE-2 金属内包フラーレンの輸送特性(フラーレン,領域7)
• 8aSD-2 フラーレンをベースにした種々のFET構造の作製とその動作特性(電解効果ドーピング,領域7)
• 25pXN-14 Dy@C_およびDy@C_の輸送特性(25pXN 金属内包フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 24pYJ-1 MgドープB正20面体クラスター固体における超伝導探索(24pYJ MgB_2と関連物質,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aXN-6 ボロン正20面体クラスター固体へのMgドープと電気伝導(24aXN クラスレート化合物,領域7(分子性固体・有機導体分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク