寄生成分を考慮した2.1GHz帯20W GaN-HEMT F級増幅器
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概要
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本報告では,寄生成分を考慮したF級電力増幅器について述べる.昨今,F級・逆F級など高調波処理に基づくマイクロ波帯高効率増幅器の研究が盛んである.しかしこれら増幅器では,トランジスタの寄生成分により理論的な高調波処理条件が大きくずれる.使用トランジスタの非線形デバイスモデルがあれば設計出来るが,わからない場合も多い.本報告では,パッケージに入ったGaN-HEMTの小信号Sパラメータを用いて20W級GaN-HEMTの寄生成分をLCR出力等価回路に回路シミュレータでフィッティングして簡易的に見積もった.その結果からトランジスタの外部整合回路に2倍波・3倍波処理を行うF級負荷回路を設計・試作した.実験で約74%の良好な効率が得られ,高調波スペクトルの抑制も確認できた.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-23
著者
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