26aDD-4 高電界印加時の荷電励起子による半導体2次元電子系の実空間観察(半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 早川 純一朗

  東北大理

• 遊佐 剛

  東北大理

• 岩田 晃

  東北大理

• 堀込 康隆

  東北大理

関連論文

• 20pHV-5 v=2/3スピン相転移の顕微フォトルミネッセンス(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pGV-2 トリオンと量子ホール系の分光(21pGV 領域5,領域4,領域8合同シンポジウム:半導体のキャリアドーピングと光,領域5(光物性))
• 21pGV-2 トリオンと量子ホール系の分光(21pGV 領域5,領域4,領域8合同シンポジウム:半導体のキャリアドーピングと光,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-3 GaAsナノデバイスを用いたν=2/3分数量子ホール状態におけるNMRスペクトルの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-10 GaAsナノ構造における核スピンのデコヒーレンス機構(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pZC-6 量子ホール系における核スピン制御(領域4シンポジウム,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13aYB-12 分数量子ホールデバイスにおける電子-核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御(半導体スピン物性, 領域 4)
• 22aTL-10 ナノ構造中の分数量子ホール電子による核スピンの制御
• 31aZP-7 結合量子細線の磁場中電気伝導特性
• 20pYK-9 v=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aQG-1 量子ホール状態を用いた局所的NMR(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pVE-13 光照射下における二次元電子系の伝導及び発光特性の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-1 ν=2/3スピン相転移近傍での円偏光顕微フォトルミネッセンス(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pCJ-8 分数量子ホール状態の実空間観察(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aDD-4 高電界印加時の荷電励起子による半導体2次元電子系の実空間観察(半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク