3p-D4-2 MeV水素イオンの阻止能に対するVicinage効果の物質依存性(放射線物理)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1988-03-31

著者

• 森田 健治

  名大工

• 堀野 裕治

  名大工

関連論文

• 26a-YR-2 MeV重イオンを用いた透過チャネリング法によるAg/Au/Si(111)表面の吸着構造の解析
• 30p-K-10 Ag/Au/Si(111)薄膜結晶における高エネルギー重イオンの透過チャネリング
• 29pPSA-22 Si(111)√×√-(Pb, Sn)表面のSTM観察
• 25aWB-1 Si(111)√×√-(Pb,Sn)超構造表面の原子配列
• 22aW-12 Si(111)2√3-(Pb, Sn)表面の電子状態
• 28p-Q-8 Si(111)-2√x2√-(Au, Ag)表面構造の透過チャネリング法による解析
• 8a-H-8 Si(111)表面上のPb, Sn二元吸着層の加熱による組成と超周期構造の変化
• 6p-H-11 Ar^+イオン衝撃脱離法を用いた二元貴金属吸着Si(111)表面の構造と結合エネルギー
• 6p-H-10 Si(111)-5/√×5/√-γ70.89゜-(Pb, Sn)表面からのPbおよびSnのイオン衝撃脱離
• 28a-F-5 (Au, Ag)/Si(111)表面からのAuおよびAgのAr^+イオン衝撃脱離
• Si(111)-√3×√3-(Au, Cu)表面からのAu及びCuのAr^+イオン衝撃脱離
• 3p-J-1 Ar^+イオン衝撃脱離法を用いたAg/Si(111)-√3x√3-Au表面の構造とAu及びAgの結合エネルギーの解析
• 31p-PSB-63 Si(111)-√3×√3-(Au, Cu)の角度分解光電子分光
• 30a-PS-24 Si(111)-√×√-Ag表面とCu原子との相互作用
• 28p-G-7 Zn-Mg-Ho準結晶の正逆光電子分光
• 29pA31P 紫外線レーザーによる水素同位体除去性能の評価(プラズマ壁相互作用・材料/電源・マグネット)
• 29a-YS-11 InP(001)-p(1×1)表面上からの水素同位体のイオン誘起脱離
• 28a-YR-2 高分解能光電子分光法による(Ag,Cu)/Si(111)表面の研究
• 1a-H-4 Si(111)表面上の二次元Au-Ag吸着層の超周期原子構造の熱的安定性
• 1a-H-3 Si(111)表面上のAg原子の熱的安定性とその基盤内拡散
• 29p-PS-14 LEED-AES-RBS法を用いたSi(111)面上の二次元Au-Cu合金単原子層の研究
• 30a-ZD-9 Si(111)-Au表面における6×6構造と?×?+サテライト構造間の整合・不整合相転移
• 29p-BPS-50 Si(111)中のAuの低温拡散
• 25p-PS-42 LEED-AES-RBS法を用いたSi(111)√x√-Auの等温焼鈍の熱脱離過程の研究
• 25p-PS-41 イオン誘起脱離法によるSi(111)-√x√-Ag, -Au構造における表面結合エネルギーの研究
• 2a-G-4 Si(111), √√-Au表面からのAuのイオン誘起脱離
• 4a-PS-37 LEED-AES-RBS法によるSi(111)√3x√3-Au表面構造の研究
• 5p-T-3 LEED・AES・RBS法によるSi(111)-√×√ R30 Agのキャラクタリゼーション
• 24pW-2 Si(111)表面上の吸着Pb原子のイオン照射に対する自己修復性
• 27a-PS-14 STMによる(Au,Cu)/Si(111)表面の局所的原子配列
• 30a-YT-6 正10角形相Al-Ni-Co単準結晶の赤外反射スペクトル
• 8a-R-8 正10角形相Al-Ni-Co単準結晶の軟X線発光分光と逆光電子分光
• 30a-PS-23 Si(111)-√×√-Ag表面上のCo原子の加熱挙動
• 2p-RL-4 ニッケル表面上の偏析不純物のイオン誘起脱離イールドII
• 11p-G-1 ニッケル表面上の偏折不純物のイオン誘起脱離イールド
• 31p-AB-4 MeV重荷電粒子の表面チャネリングの軸依存性
• 12a-Q-5 高密度励起によるアルカリハライドの発光
• 6p-T-8 MOX線を用いたK殻空孔寿命の決定
• 27aXE-2 光電子分光法によるSi(111)√×√-(Pb, Sn)表面の研究
• 29p-PSB-13 (Fe_V_x)_3Alの正逆光電子分光
• 25pY-4 Si(111)-1xl-Pb表面上のPb原子のkeVイオン照射下における自己修復性
• 24pA-1 Si(111)-7×7及びCu/Si(111)表面からのスパッタ粒子の運動エネルギー分布及びイオン化確率
• 27pY-10 透過チャネリング法および低エネルギーイオン散乱分光法を用いたSi(111)-2√x2√-(Au, Ag)表面の構造解析
• 7a-PS-15 XPSを用いたSi(111)-√×√-Ag表面のCu成長層の研究
• 29a-PS-26 Si(111)表面上の三元系金属(Au, Ag, Cu)吸着相の反応過程
• Si(111)√3×√3-(Au, Cu)表面に対するAg原子の与える影響
• 31a-J-6 Si(111)-√3×√3-Ag表面上のCu及びNi原子の溶解・偏析挙動
• 29a-YB-5 Cu/Si(111)-√×√-Ag表面上のAg及びCuのAr^+ イオン衝撃脱離
• 28pPSB-29 Si(111)2√×3-(Pb, Sn) 表面の光電子分光
• 29pB06 LHDダイバータ黒鉛タイルの表面分析結果(ヘリカルII)
• 31p-PSB-29 RBS-channeling法を用いたδ-doped InPの構造解析
• 3p-T-6 紫外・赤外レーザー光による絶縁物質表面への金属原子注入
• 30a-S-9 単原子層不純物のスパッタリングに対する反跳注入及び衝突混合の効果
• 31p-YF-1 RBS-channeling法を用いたSi(111)表面にデルタドープしたGeの構造解析
• 7a-I-12 反跳によるMOX線
• 7a-I-11 MO X-rayを用いた内殻空孔の寿命測定
• 31p-PSB-80 D/InP(001)-p(1x1)およびInP(001)-p(2x4)表面のRBSチャネリングのピーク収率の解析
• 28p-Q-9 イオン散乱分光法による(Bi, Sb)/Si(111)表面の構造解析
• 31a-K-13 レーザー共鳴イオン化法によるSi(111)-quasi5×5-Cu表面から脱離されたCu原子のエネルギー分布測定
• 31a-J-7 Ag/Si(111)表面の低温加熱のチャネリング解析
• 2p-PSA-26 低温加熱生成されたSi(111)-√×√-Ag表面の複合分析法による総合解析
• 2a-Q-5 低温加熱生成されたSi(111)-√×√-Ag表面のRBS-channeling解析
• 2a-Q-4 Ag/Si(111)超周期表面構造に対する吸着Niの効果
• 29p-WC-6 Si(111)表面上の二次元二元貴金属吸着層の熱的安定性
• 28p-PSB-35 金属・半導体界面における低温固相反応による相互拡散の深さ測定
• 28p-WC-4 Si(111)表面上のMLAg層の低温加熱による減衰と構造変化
• 15a-DH-3 Si(111)表面上の二次元Ag-Cu吸着層の原子構造と組成の加熱による変化
• 15a-DH-2 Si(111)表面上のCu吸着層の熱的安定性に対するイオン照射効果
• 8a-L-8 ダイアモンド格子に於ける陽子のチャネリング効果(II)
• 1a-TD-5 アルカリ・ハライドにおけるチャネリング効果
• 28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 5.高速イオンによる表面解析
• 28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 : 5. 高速イオンによる表面解析
• 31p-P-3 Ni-Au合金薄膜の高温下でのAu原子の選択スパッタリング
• 29pB14P LHD第一壁表面試料による堆積不純物の分析(ヘリカル2/慣性核融合/新概念)
• 5p-P-10 不純物のイオン誘起脱離に対する反跳注入効果
• 25p-G-12 Au/InP(001)系におけるAu表面および界面の原子構造のRBS : チャネリング解析
• 24a-PS-23 InP(001)-p(2×4)表面上における金属膜の室温MBE成長機構
• 4a-PS-16 InP(001)-p(2x4)表面上へのAuのMBE成長における面心立方格子In層の過渡的生成
• 1p-Z-13 InP(100)-p(2×4)表面上のエピタキシャル成長Au層の評価
• 5p-W-15 InP(100)-p(2×4)表面上へのAuのMBE成長
• 6a-PS-53 YBa_2Cu_3O_のプロトン照射と超伝導特性
• 2p-R-8 Ni表面上の単原子層Auの脱離収率の放出角依存
• 29a-SA-7 KeV水素イオンの合金・化合物表面における反射
• 26pB5 LHD第一壁表面試料の堆積元素分析(計測/壁相互作用)
• 10p-T-4 MeV重荷電粒子の表面チャネリング : 実験
• 24pYN-11 直衝突イオン散乱分光法を用いた低エネルギーHe^+イオンの微分散乱断面積の絶対値測定
• 24aPS-36 直衝突イオン散乱分光法によるSi(111)√×√-Sb表面の構造解析
• 27pY-9 低エネルギーイオン散乱分光法を用いたSi(111)√x√-Biの構造解析
• 2p-PSA-20 D/InP(001)-p(1x1)およびInp(001)-p(2x4)表面の原子構造のRBSチャネリング解析
• 7a-E-9 不純物を含むアルカリ・ハライドにおけるチャネリング効果 III
• 7a-E-8 不純物を含むアルカリ・ハライドにおけるチャネリング効果 II
• 3a-G-7 格子欠陥によるdechanneling
• 7p-F-6 Dechanneling Rateの粒子質量依存性
• 7a-E-7 不純物を含むアルカリ・ハイライドにおけるチャネリング効果
• 9a-Q-4 Geにおける陽子の散乱に対するチャネリング効果
• 2p GD-7 結晶表面における小角散乱を用いた欠陥の深さ分析
• 27pY-8 LEED-CAICISS-STM法を用いたSi(111)6x6-(Au, Ag)表面の構造解析
• 27p-Z-12 多光子共鳴電離を用い放出ニッケル粒子の速度分布解析
• 6p-B-1 陽子照射による色中心の生成
• 12a-DH-12 D/InP(001)-p(1x1)表面上からの重水素原子のイオン衝撃脱離

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク