1a-F4-2 半導体表面からの電子衝撃脱離(表面・界面)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1988-03-31
著者
関連論文
- 27p-D-1 アルカリハライドからの中性原子脱離
- 3a-S-7 アルカリハライドからのイオン脱離
- 31a-T-12 多価イオン衝撃による金属表面からの二次電子放出II
- 5a-W-8 多価イオン衝撃による金属表面からの二次電子放出
- 30p-TA-2 アルカリ吸着したSi(111)表面からの電子衝撃脱離
- 6a-C4-10 多価イオンと固体表面との相互作用
- 5a-B4-2 半導体表面からの電子衝撃脱離II
- 29a-O-6 アルカリハライドからのイオン脱離 V
- 27p-D-2 アルカリハライドからのイオン脱離 III
- 1a-F4-2 半導体表面からの電子衝撃脱離(表面・界面)
- 2p-K3-3 多価イオンによる金属表面からの二次電子放出(表面・界面)
- 28a-H-4 アルカリハライドからのイオン脱離 IV(表面・界面)
- 28a-H-5 アルカリハライドからの電子衝撃脱離(表面・界面)
- 29a-R-3 シンクロトロン放射光を用いたビスマスクラスターBi_n(n≦4)の光イオン化(29aR 原子・分子)
- 1a-BG-3 アルカリハライドからの電子衝撃脱離(1a BG 表面・界面)
- 29p-TJ-4 電子遷移によるアルカリハライドからの脱離過程(29pTJ 表面・界面シンポジウム:固体表面における励起脱離現象)
- 31a-TJ-7 水素吸着したシリコン表面からの電子衝撃脱離(31aTJ 表面・界面)