A-1-25 トータルドーズ効果を考慮したフローティングゲートMOSFETを用いた細胞体モデルに対する一検討(A-1.回路とシステム)

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概要

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• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-03-05

著者

• 関根 好文

  日本大学理工学部

• 佐伯 勝敏

  日本大学理工学部

• 奥山 敦司

  日本大学理工学部

• 眞下 祐一

  日本大学大学院理工学研究科

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