ハードウェアモデルを用いたCaイオンによる神経興奮現象に対する一検討
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概要
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先に提案したH-H方程式をもとに構成した構造推定用神経軸索膜のハードウェアモデルは,修正H-H方程式にも対応でき,神経軸索膜を取り巻く溶液中に存在するCaイオン濃度減少による遮へい効果を,電圧受容部位モデルを構成しているFETのしきい値電圧に取り入れることにより自励発振現象を表現できることを,回路シミュレーションにより示している.
- 1994-02-25
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