電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御(機能ナノデバイス及び関連技術)

概要

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我々は,直列に接続された複数のナノギャップに対して,電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション(アクティベーション)を用いて,電気的特性の同時制御について検討を行った.本手法はナノギャップでの電界放射電流により誘起されるエレクトロマイグレーションに基づいており,直列に接続された複数のナノギャップのトンネル抵抗は,F-N電界放射電流の一括同時通電により制御される.この際,ギャップ近傍の原子は電子流により原子移動が促進され,それぞれのナノギャップにおけるソース電極(陰極)からドレイン電極(陽極)へと移動する.結果として,ギャップ問に原子が堆積することで,アクティベーションの進行に伴い各ナノギャップが狭窄化され,初期ギャップ幅が異なるにもかかわらず素子特性の均一化が進行し,電気的特性をself-regulatedに制御することが可能であると考えられる.今回は,直列に接続された3つのNiナノギャップに対し室温下にて本手法を適用し,各設定電流IsにおいてそれぞれのナノギャップのI-V特性およびトンネル抵抗を詳細に測定することで,アクティベーションに伴う直列型ナノギャップの電気的特性の変化について検討した.
2012-01-31