電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法によるプレナー型強磁性トンネル接合の作製(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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我々は簡便なナノスケールトンネルデバイスの作製手法として,エレクトロマイグレーション(EM)を利用した電界放射電流誘起型EM(アクティベーション)法を提案している.本手法は,数十nmの初期ギャップに対する通電によりEMを誘起させることでナノギャップ電極を作製する手法である.これまでに電極形状や電極材質,初期ギャップ幅によらず,通電電流の強度によりナノギャップのトンネル抵抗を制御できることが明らかとなっている.即ち,本手法により狭窄化したナノギャップ電極を金属-真空障壁-金属系のトンネル接合として利用することで,トンネル抵抗をその場で調整しながら様々なナノスケールデバイスの形成が可能となる.今回は,金属に強磁性電極を用いたプレナー型強磁性トンネル接合の作製を行い,その磁気抵抗特性について詳細に検討を行った.
- 2010-02-15
著者
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滝谷 和聡
国立大学法人東京農工大学大学院共生科学技術研究院
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友田 悠介
国立大学法人東京農工大学大学院共生科学技術研究院
-
渡邉 敬登
国立大学法人東京農工大学大学院共生科学技術研究院
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久米 彌
国立大学法人東京農工大学大学院共生科学技術研究院
-
上野 俊介
国立大学法人東京農工大学大学院共生科学技術研究院
-
白樫 淳一
国立大学法人東京農工大学大学院共生科学技術研究院
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上野 俊介
国立大学法人 東京農工大学 大学院共生科学技術研究院
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白樫 淳一
国立大学法人 東京農工大学 大学院共生科学技術研究院
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久米 彌
国立大学法人 東京農工大学 大学院共生科学技術研究院
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渡邊 敬登
国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院
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渡邉 敬登
国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院
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