電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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プレナー型ナノスケールトンネルデバイスの簡便な作製手法である,電界放射電流によって誘起・発現される工レクトロマイグレーション(EM)を用いて単電子トランジスタ(SET)の作製とその集積化の検討を行った.本手法は,数十nm程度のギャップを有するナノギャップ電極に対して,電界放射電流により誘起されたEMを発現させることで,ギャップ近傍の原子を移動させてギャップ間隔を狭窄化すると同時に,ギャップ間に原子を堆積させアイランドを形成することも可能な技術である(アクティベーション法).これまでに,本手法を用いて単電子トランジスタの簡便な作製を行ってきた.アクティベーション法では通電する電界放射電流の強度によってSETの帯電エネルギーを制御することが可能である.これより,複数のナノギャップを直列に接続し,同時にアクティベーションを適用することで,SETの一括作製とその集積化を検討した.
社団法人電子情報通信学会の論文
2010-02-15

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