Siスパッタエピタキシーと単結晶Si太陽電池の作製(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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Siスパッタエピタキシャル成長(SPE)を175℃で成長速度3.3nm/sで実現した。プラズマパワーが50W以下で結晶性は顕著に低下し、20Wでアモルファスとなった。これはSPEでは堆積速度より成長表面への電子流量が重要であるためとした。膜厚が5000nmでもSPEは持続し、限界膜厚はなかった。SPEで太陽電池のn+エミッタを形成し、電流電圧特性と分光感度特性を調べた。その結果短絡電流はSPE膜厚が650nm以下では熱拡散法の16.5mA/cm^2よりも高い値が得られ、50nmで最大20mA/cm^2が得られた。外部量子効率測定からエビ成長法は光波長800nm以上で熱拡散法より高い効率が得られた。これはスパッタエピ成長法の低いプロセス温度によりバルクキャリアライフタイムが維持されたことによることがわかった。
- 2011-12-09
著者
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葉 文昌
国立台湾科技大学電子工程系
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葉 文昌
島根大学総合理工学部
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方 〓斌
台湾科技大学電資学院
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黄 祥恩
台湾科技大学電資学院
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黄 祥恩
台湾科技大学 電資学院
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方 〓斌
台湾科技大学 電資学院
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