マイクロレンズを利用したSi膜エキシマレーザ誘起結晶粒の位置制御(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)

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概要

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• マイクロレンズを利用したSi膜のエキシマレーザ誘起結晶粒位置制御法では、横方向結晶粒の形態は種付け工程の種結晶形状に依存する。本論文では種結晶とそれを用いて成長させた横方向結晶粒をSEM、AFM、及びTEMを用いて調べ、エキシマレーザエネルギー密度と結晶形態の相関性を調べた。更に横方向成長過程のその場観察を行い、結晶成長速度は5m/sであるを求めた。

• 2008-04-11

著者

• 陳 秉群

  国立台湾科技大学電子工程系

• 陳 信吉

  国立台湾科技大学電子工程系:蘭陽技術学院自動化工程系

• 葉 文昌

  国立台湾科技大学電子工程系

• 戴 漢昇

  国立台湾科技大学電子工程系

• 葉 文昌

  島根大学総合理工学部

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