MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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有機金属気相成長(MOCVD)法を用い,Sapphire基板上にトリメチルアルミニウム(Al(CH_3)_3),メタン(CH_4),を供給し,1100℃以上で反応させることで,アルミニウムカーバイド(Al_4C_3)の薄膜が成長した.このAl_4C_3を基に,ホモ接合の作製のためにSi,Pによるドーピングを行った.続いてヘテロ構造の作製のためにガリウムカーバイド(GaC)という新たな材料をAl_4C_3上に作製した.
- 2011-11-10
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