短波長LEDチップを用いた白色照明

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会分科会日本光学会の論文
• 2009-03-10

著者

• 酒井 士郎

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 酒井 士郎

  徳島大学大学院

関連論文

• 短波長LEDチップを用いた白色照明
• 半導体発光デバイスの現状
• SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• MOCVD法による sapphire 上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長
• MOCVD法による sapphire 上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長
• SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究
• SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究
• MOCVD法による sapphire 上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長
• SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク