SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

概要

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MOCVD法でサファイア上にGaNを成長し、その上にマスク(SiO_2)を蒸着させサファイアまでエッチングを行った後、GaNのEpitaxial Lateral Overgrowth(ELO)成長を行った。その際、エッチング時間を長くするとSiO_2が横方向にエッチングされ、そこが再成長が容易に起こる面となる。KOH420℃1分間エッチングしたところ、転位密度2.1×10^7cm^<-2>となった。これを何もしていない2μmのGaNで行うと3.0×10^8cm^<-2>であり、1/10になっている。さらに、ショットキー障壁を形成し、最も転位密度が少ないSiO_2付きが、最も低い逆方向電流を持つことが示された。
2011-11-10