NiFe/MgO/Ag接合を用いた面内スピンバルブ構造におけるスピン蓄積信号の増大(ヘッド,スピントロニクス,一般)
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概要
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面内スピンバルブ構造を用いた非局所スピン注入法は、純スピン流に関する学理のみならず新しいスピントロニクス素子を実現する手法としても期待されている。しかしながら、従来素子の出力信号は数μV程度であり、スピン注入/検出効率の向上によりスピン蓄積量を増大し、出力信号を増加させる必要がある。本研究では、NiFe/MgO/Ag接合の面内スピンバルブ素子を作製した。熱処理条件やMgO膜厚を変えることでスピン蓄積信号の界面依存性を調べ、数百μVの出力信号を実現した。
- 2011-10-06
著者
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福間 康裕
理研ASI
-
福間 康裕
理研
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井土 宏
東大物性研
-
王 楽
理研
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大谷 義近
理化学研究所フロンティア研究システム
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福間 康裕
理化学研究所
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王 楽
理化学研究所
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井土 宏
東京大学物性研究所
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大谷 義近
理化学研究所
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