LNOIリッジ導波路における漏れ損失の抑圧(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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LNOI(LiNbO_3 on insulator)リッジ導波路における漏れ損失の構造依存性を評価する.等方性媒質によるリッジ導波路は.準TMモードに大きな漏れ損失を持つ.一方でLiNbO_3は異方性媒質であり,LNOIスラブ導波路は等方性導波路とは異なる特性を有する.リッジ導波路の特性はスラブ導波路の特性と密接に関係するため,LNOIリッジ導波路の特性もまた,等方性リッジ導波路の特性とは異なることが予想される.本報告では,LNOIリッジ導波路における漏れ損失を有限要常法により調査する.適切に導波路パラメータを選択することで,準TE, TMの両モードに対する漏れ損失を完全に抑圧できることを示す.
- 2011-07-14
著者
-
川口 雄揮
北海道大学大学院情報科学研究科
-
齊藤 晋聖
北海道大学大学院情報科学研究科
-
小柴 正則
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Koshiba M
Department Of Electronic And Information Engineering Hokkaido University
-
小柴 正則
北海道大学
-
斎藤 英美
北海道大学大学院情報科学研究科
-
齊藤 晋聖
北海道大学 大学院情報科学研究科
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