21pPSA-10 薄膜エッジを利用したNi/NiO/Niナノスケールトンネル接合の作製とその電流電圧特性(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 石橋 晃

  北海道大学電子科学研究所

• 海住 英生

  北海道大学電子科学研究所

• 近藤 憲治

  北海道大学電子科学研究所量子機能素子研究分野

• 海住 英生

  北大電子研

• 近藤 憲治

  北大電子研

• 石橋 晃

  北大電子研

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