C214 熱CVD法によるTiN膜成長速度に関する実験的研究(マイクロ・ナノスケールの熱輸送現象III)
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概要
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Growth rate of TIN film by thermal chemical vapor deposition has been investigated. When the setting temperature, Ts, is 1200℃, the growth rate at an almost uniform temperature zone decrease exponentially with the distance. In this case , the growth rate is controlled by the diffusion of TiCl_4. The controlling step doesn't depend both on the pressure and the bubbling flow rate of TiCl_4. On the other hand, at Ts<1200℃, the growth rate at the almost uniform temperature zone is divided by two steps. Therefore, growth rate of TiN film depends not only the diffusion of TiCl_4 and the surface reaction but also the gas phase reaction.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2009-11-06
著者
-
田之上 健一郎
山口大学
-
西村 龍夫
山口大院
-
田之上 健一郎
山口大院
-
西村 龍夫
山口大学 工学部機械工学科
-
松本 彬
山口大院
-
竹本 裕紀
山口大院
-
西村 竜夫
広島大 工
-
西村 龍夫
山口大学大学院理工学研究科
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