G231 管状熱CVD炉におけるTiN薄膜生成実験(物質合成)
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概要
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Deposition rate of TiN has been investigated in a hot-wall Chemical Vapor Deposition reactor. Using TiCl_4-H_2-N_2 gas mixtures at 950℃<T_s(setting temperature)<1200℃, Q_<N2>(flow rate of Nitrogen)=1[slm], Q_<H2>(flow rate of Hydrogen)=1[slm] and 0.0009<y _<TiCl4>(molar fraction of TiCl_4)<0.0044, the deposition rate has a maximum value. Near the reactor inlet and then decreases monotonously along the axial direction of the reactor. The maximum value increases with the setting temperature while the value approaches a constant value with increasing the molar fraction of TiCl_4, From these experimental results, the chemical reaction seem to be expressed by the mechanism of Langmuir-Hinshelwood
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2007-11-23
著者
-
田之上 健一郎
山口大学
-
西村 龍夫
山口大学
-
西村 龍夫
山口大院
-
山内 隆
山大院
-
小田 慎一郎
山大院
-
田之上 健一郎
山大工
-
西村 龍夫
山大工
-
西村 竜夫
広島大 工
-
西村 龍夫
山口大学大学院理工学研究科
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