1.6μm帯半導体レーザ励起によるTmシリカフアイバレーザの1.9μm帯レーザ発振(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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Tm添加シリカファイバからなるリング共振器を構成し、1.6μm帯半導体レーザのバンド内励起による1.9μm帯レーザ発振を得た。半導体レーザ光はWDMカップラを介してリング共振器に導入されTmファイバを双方向励起した。Tmファイバの長さと出力カップラの結合比を変化させ、パルス動作時の闘値励起パワー60mW、ピーク出力パワー40mWが得られた。発振波長はTmファイバの長さに依存し、1876-1925nmの範囲で変化した。
- 2010-05-21
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