CMOSバイオセンサ応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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CMOSバイオセンシングにおいて中心的役割を担うIon-sensitive Field-Effect Transistor(ISFET)のデバイスモデリング及びシミュレーションについて報告する。ISFETの基本原理、溶液及び半導体溶液界面のモデル化手法について述べる。シリコン窒化膜を用いたISFETのpH感応性シミュレーションを一次元及び二次元のモデルにより行い、pHの増加に伴いフラットバンド電圧(従って閾値電圧)が増加することを再現する。また、ISFETによるDNA検出実験を三次元モデルにより再現する。ナノワイヤをチャネルとする立体構造ISFETでの計算も行い、円筒座標系による擬三次元シミュレーションにより電流電圧特性を計算する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-05
著者
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