25aYK-9 水素化イットリウムYH_X (1.7<x<2.1)におけるホール係数と縦抵抗率との相関(格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 伊藤 優

  埼大院理工

• 中村 修

  カシオ計算機

• 酒井 政道

  埼大院理工

• 伊藤 早帆

  埼大院理工

• 児玉 大輔

  埼大院理工

• 櫻庭 琢士

  埼大院理工

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