E-8 電子線超音波顕微鏡像のコントラスト : バイアスを印加したSi・Tr-chipの場合(顕微鏡・光音響)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
- 1987-12-08
著者
関連論文
- 1-B-2 断続電子線励起によるSi Tr-Chipの接合からの超音波信号の発生位置(B.音波物性)
- 9p-M-2 人工水晶の不純物Al分布と格子欠陥
- A-9 電子線超音波顕微鏡によるトランジスタ内の転位線の観察(基礎・計測III)
- 電子線励起超音波信号による非破壊・内部観察
- C4 半導体素子からのEA信号と動作状態電位分布(超音波非破壊評価)
- 13p-PSB-9 半導体素子の非破壊・内部観察と動作状態電位分布
- F1 シリコン・トランジスタ素子の非破壊・内部観察(超音波非破壊評価)
- 27a-ZN-10 Siトランジスタ・チップのベース層内転位線の非破壊内部観察 II : 電子線超音波顕微鏡
- C1 2位相EA信号を用いた電子線超音波像の深さ方向の研究
- 24a-T-12 Siトランジスタ・チップのベース層内転位線の非破壊内部観察 : 電子線超音波顕微鏡
- 2PJ-8 バイアス電圧を印加したTr素子の非破壊プロファイル : 電子線超音波顕微鏡(光音響,ポスターセッション(概要講演))
- 4a-Z-8 Al電極下のベース層内の転位線の非破壊内部観察 : 電子線超音波顕微鏡
- 31p-PS-1 バイアスを印加したSiトランジスタ・チップからの電子線励起超音波信号の発生場所
- E-10 電子線超音波顕微鏡によるSi Tr-Chipの拡散層の検出(超音波顕微鏡)
- 5p-PS-5 電子線超音波顕微鏡(EAM)を用いたTr-Chipの拡散層の観察
- E-8 電子線超音波顕微鏡像のコントラスト : バイアスを印加したSi・Tr-chipの場合(顕微鏡・光音響)
- F-3 電子線超音波顕微鏡(EAM)による試料内部の観察範囲(音響顕微鏡)
- F-4 電子線超音波顕微鏡によるn・p・n Si-Trのベース領域の転位線(超音波顕微鏡・非破壊検査)
- 31a-PS-5 電子線超音波顕微鏡像のコントラスト(音波物性・音響ポスターセッション)
- 29p-PS-1 電子線超音波顕微鏡(EAM)によるSi Tr-Chipの拡散層からの信号(29pPS 音波物性・音響)