13p-PSB-9 半導体素子の非破壊・内部観察と動作状態電位分布
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-09-20
著者
関連論文
- 1-B-2 断続電子線励起によるSi Tr-Chipの接合からの超音波信号の発生位置(B.音波物性)
- 9p-M-2 人工水晶の不純物Al分布と格子欠陥
- A-9 電子線超音波顕微鏡によるトランジスタ内の転位線の観察(基礎・計測III)
- 電子線励起超音波信号による非破壊・内部観察
- C4 半導体素子からのEA信号と動作状態電位分布(超音波非破壊評価)
- 13p-PSB-9 半導体素子の非破壊・内部観察と動作状態電位分布
- F1 シリコン・トランジスタ素子の非破壊・内部観察(超音波非破壊評価)
- 27a-ZN-10 Siトランジスタ・チップのベース層内転位線の非破壊内部観察 II : 電子線超音波顕微鏡
- C1 2位相EA信号を用いた電子線超音波像の深さ方向の研究
- 24a-T-12 Siトランジスタ・チップのベース層内転位線の非破壊内部観察 : 電子線超音波顕微鏡
- 2PJ-8 バイアス電圧を印加したTr素子の非破壊プロファイル : 電子線超音波顕微鏡(光音響,ポスターセッション(概要講演))
- 4a-Z-8 Al電極下のベース層内の転位線の非破壊内部観察 : 電子線超音波顕微鏡
- 31p-PS-1 バイアスを印加したSiトランジスタ・チップからの電子線励起超音波信号の発生場所
- E-10 電子線超音波顕微鏡によるSi Tr-Chipの拡散層の検出(超音波顕微鏡)
- 5p-PS-5 電子線超音波顕微鏡(EAM)を用いたTr-Chipの拡散層の観察
- E-8 電子線超音波顕微鏡像のコントラスト : バイアスを印加したSi・Tr-chipの場合(顕微鏡・光音響)
- F-3 電子線超音波顕微鏡(EAM)による試料内部の観察範囲(音響顕微鏡)
- F-4 電子線超音波顕微鏡によるn・p・n Si-Trのベース領域の転位線(超音波顕微鏡・非破壊検査)
- 31a-PS-5 電子線超音波顕微鏡像のコントラスト(音波物性・音響ポスターセッション)
- 29p-PS-1 電子線超音波顕微鏡(EAM)によるSi Tr-Chipの拡散層からの信号(29pPS 音波物性・音響)